<kbd id="267gcoga"></kbd><address id="jbaehblx"><style id="9od3ff6l"></style></address><button id="1h6dze8q"></button>

          跳到内容 跳到导航

          Research & Ideas

          站内搜索

          小型,快速,节能的内存来刺激新的计算机应用

          “自旋 - 轨道扭矩”的技术是专为数据密集型计算应用,如人工智能和机器学习。

          Illustration of computer chip

          今天的耗电大户计算机存储技术是有限的,当谈到采用人工智能有效。 | istock /adekvat

          运行人工智能,机器学习等先进应用的计算机需要从小型,快速,节能的内存靠近,甚至里面的芯片,CPU的计算服务。

          这些内存芯片必须是可编程的,工作非常迅速跟上CPU。

          在这个角色当今的计算机通常使用静态随机存取存储器(SRAM),这种技术是快速和紧凑,但是具有耗电的缺点。

          现在,一队由申博体育教授领导 山旺 已出版 大自然电子纸 演示的替代技术是一样快的SRAM,更紧凑,更节能。新技术被称为SOT-MRAM,简称自旋 - 轨道扭矩磁阻随机存取存储器。

          wang的方法结合MRAM - 一种新型的“自旋电子学”记忆刚才被商业化 - 和SOT迂曲。的SOT电路是基于钽的超薄金属丝之间的相互作用 - 在电子器件中常见的重金属 - 和其它金属和绝缘体,特别的纳米堆叠,钴,铁和硼的合金。

          通过钽送电的小震动,在合金中的磁性元件可以被切换到向上或向下。在计算机术语,但是它们可以被编程为存储数字数据的所需要的1和0的电表示。有利地,SOT-MRAM是工程师称之为存储器的非易失性的形式,这意味着它可以当设备电源被关断,即使存储数据。

          SOT技术具有优异的电效率,但要取代SRAM,还必须要小。王的研究小组通过仔细工程设备的各个层的厚度,使其可写仅使用两个电终端设备实现必要的紧凑性。此前,SOT-MRAM被认为需要三个终端。

          速度是最终的先决条件。现有MRAM技术,这需要10到20纳秒写0或1,是用于数据密集型计算应用来说太慢。但王的研究表明,SOT-MRAM可以写在一纳秒或更少的零个或一个 - 在速度的十到二十倍的提高。该次纳秒门槛将使SOT-MRAM跟上当今不断更快的CPU,更深入的学习神经网络和海量数据库的步伐。

          王警告说,他目前的实验是在非常早期的阶段,SOT技术与商业化几年的时间。但是,他说,这已经优于MRAM称为自旋转移力矩(STT)的竞争形式已被广泛已经商业。

          接下来的挑战是开发制造技术和更有效的SOT材料生产SOT-MRAM中,以使该技术在商业上可行所需的深远的数字。这是不容易的任务。

          “如果你没有得到的金属层完全正确的,你破坏了设备,”他说。

          不过,王认为这些制造挑战是可以解决和SOT-MRAM的规模,速度和能源效率应使自旋轨道扭矩内存行业非常有吸引力。 “有很多新的想法在这方面涌出来,”他说,“我很乐观,这种记忆会在众多的小部件被普遍使用。”

          共同作者包括敬之佐藤,谁进行的研究作为自己的一部分 博士 论文,现在英特尔;博士后奋学,现在在清华大学;顾问教授 罗伯特·M。白色;和博士后冲璧。

          本研究资金由提供 台积电(TSMC)斯坦福systemx联盟斯坦福中心磁性纳米技术美国国家科学基金会中心应用于高能效电子科学 和 上升在跳六位一体的中心,半导体研究公司(SRC)计划由DARPA资助。

              <kbd id="e8271ow4"></kbd><address id="dic716jp"><style id="vwdknz1v"></style></address><button id="3jekkxwe"></button>